Hersteller Produktnummer:
IRF6603
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6603-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12804028
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IRF6603 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6590 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MT
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MT
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN3R5-30YL,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
7138
TEILNUMMER
PSMN3R5-30YL,115-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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