IRF6601

Hersteller Produktnummer:

IRF6601

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6601-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 20 V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Inventar:

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12803935

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IRF6601 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Verpackung

-

Reihe

HEXFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

26A (Ta), 85A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 26A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

45 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

3440 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

DIRECTFET™ MT

Paket / Koffer

DirectFET™ Isometric MT

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

4,800

Andere Namen

IRF6601TR

IRF6601CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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