Hersteller Produktnummer:
IRF640NSTRLPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF640NSTRLPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
39715 Stück Neu Original Auf Lager
12805821
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IRF640NSTRLPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1160 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF640
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
IRF640NSTRLPBF-DG
SP001561810
IRF640NSTRLPBFTR
2156-IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBFCT
IRF640NSTRLPBFDKR
INFINFIRF640NSTRLPBF
Q4322190Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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