Hersteller Produktnummer:
IRF6215S
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6215S-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12802916
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Menge
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IRF6215S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF6215S
SP001551138
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQB12P20TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FQB12P20TM-DG
Einheitspreis
0.77
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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