Hersteller Produktnummer:
IRF6100
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6100-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™
Inventar:
12823628
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IRF6100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1230 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-FlipFet™
Paket / Koffer
4-FlipFet™
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
6,000
Andere Namen
IRF6100TR
*IRF6100
IRF6100CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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