Hersteller Produktnummer:
IRF5850TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF5850TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12806193
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Menge
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IRF5850TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
320pF @ 15V
Leistung - Max
960mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
IRF58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SP001579062
IRF5850TRPBF-DG
IRF5850TRPBFCT
IRF5850TRPBFTR
IRF5850TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2 (1 Year)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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