IRF5804
Hersteller Produktnummer:

IRF5804

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF5804-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

Inventar:

12806552
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IRF5804 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
198mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
680 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro6™(TSOP-6)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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