Hersteller Produktnummer:
IRF5803
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF5803-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventar:
12807095
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF5803 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro6™(TSOP-6)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF5803TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
52523
TEILNUMMER
IRF5803TRPBF-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF8308MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
SPA08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP
IRLL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
