Hersteller Produktnummer:
IRF5802
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF5802-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventar:
12804972
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF5802 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
88 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro6™(TSOP-6)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI3442BDV-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
26929
TEILNUMMER
SI3442BDV-T1-E3-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
IRLR7821TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK