IRF520NS

Hersteller Produktnummer:

IRF520NS

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF520NS-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

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IRF520NS Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Infineon Technologies

Verpackung

-

Reihe

HEXFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9.7A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 5.7A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

330 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

D2PAK

Paket / Koffer

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

50

Andere Namen

*IRF520NS

SP001559622

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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