Hersteller Produktnummer:
IRF40R207
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF40R207-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 56A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12222 Stück Neu Original Auf Lager
12806392
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IRF40R207 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IRF40R207
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IRF40R207CT
SP001564382
IRF40R207DKR
IRF40R207TR
IRF40R207-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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