Hersteller Produktnummer:
IRF40H210
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF40H210-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12805895
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IRF40H210 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5406 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
IRF40H210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF40H210TR
IRF40H210DKR
SP001571340
IRF40H210CT
IRF40H210-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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