Hersteller Produktnummer:
IRF3711SPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF3711SPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12805440
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Menge
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IRF3711SPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2980 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001576712
*IRF3711SPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB200NF03T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
959
TEILNUMMER
STB200NF03T4-DG
Einheitspreis
1.51
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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