Hersteller Produktnummer:
IRF3708L
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF3708L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 62A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
13064233
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Menge
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IRF3708L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2417 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
87W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF3708L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI55NF03L
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
748
TEILNUMMER
STI55NF03L-DG
Einheitspreis
0.84
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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