Hersteller Produktnummer:
IRF3706PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF3706PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 77A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12803133
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IRF3706PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2410 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001563152
*IRF3706PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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