Hersteller Produktnummer:
IRF200P222
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF200P222-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 182A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
971 Stück Neu Original Auf Lager
12804197
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IRF200P222 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 82A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9820 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
556W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IRF200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
IRF200P222-DG
SP001582092
448-IRF200P222
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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