Hersteller Produktnummer:
IRF200B211
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF200B211-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
4746 Stück Neu Original Auf Lager
12802645
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IRF200B211 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.9V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
790 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2166-IRF200B211-448
2156-IRF200B211
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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