Hersteller Produktnummer:
IRF1902PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF1902PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12809200
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Menge
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IRF1902PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
310 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
*IRF1902PBF
SP001550948
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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