IRF1404ZPBF
Hersteller Produktnummer:

IRF1404ZPBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF1404ZPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

3513 Stück Neu Original Auf Lager
12803021
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IRF1404ZPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4340 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF1404

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRF1404ZPBF Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100
Andere Namen
IRF1404Z-010PBF-DG
IFEINFIRF1404ZPBF
*IRF1404ZPBF
2156-IRF1404ZPBF
IRF1404Z-010PBF
SP001574476

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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