IRF135SA204
Hersteller Produktnummer:

IRF135SA204

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF135SA204-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 135 V 160A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventar:

2400 Stück Neu Original Auf Lager
12803363
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRF135SA204 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
135 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
315 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11690 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Basis-Produktnummer
IRF135

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
IRF135SA204CT
IRF135SA204-DG
IRF135SA204TR
Q9452163
2156-IRF135SA204
IFEINFIRF135SA204
SP001564264
IRF135SA204DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPB120N04S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

infineon-technologies

IRF1404ZGPBF

MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB

infineon-technologies

IPU64CN10N G

MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3