Hersteller Produktnummer:
IRF1324PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF1324PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 24 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
4689 Stück Neu Original Auf Lager
12803729
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IRF1324PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
24 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 195A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7590 pF @ 24 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF1324
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
IRF1324PBF-DG
448-IRF1324PBF
SP001561460
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB3006PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3175
TEILNUMMER
IRFB3006PBF-DG
Einheitspreis
1.82
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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