Hersteller Produktnummer:
IRF1010EZPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF1010EZPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
9758 Stück Neu Original Auf Lager
12816113
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF1010EZPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF1010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF1010EZPBF
SP001571244
2156-IRF1010EZPBF
IFEINFIRF1010EZPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF3205STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
SPS03N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
