IRF1010EZL
Hersteller Produktnummer:

IRF1010EZL

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF1010EZL-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

12858872
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRF1010EZL Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF1010EZL

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
renesas-electronics-america

RJK0656DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

vishay-siliconix

IRFL214PBF

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

onsemi

NVMFS5C638NLT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

onsemi

NTTFS4823NTWG

MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN