IQE030N06NM5ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IQE030N06NM5ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IQE030N06NM5ATMA1-DG

Beschreibung:

TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4

Inventar:

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IQE030N06NM5ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta), 137A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3800 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSON-8-4
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IQE030N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IQE030N06NM5ATMA1CT
448-IQE030N06NM5ATMA1DKR
448-IQE030N06NM5ATMA1TR
SP005399424

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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