Hersteller Produktnummer:
IQE013N04LM6ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IQE013N04LM6ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
Inventar:
13079 Stück Neu Original Auf Lager
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IQE013N04LM6ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 51µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3900 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSON-8-4
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IQE013
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IQE013N04LM6ATMA1CT
448-IQE013N04LM6ATMA1TR
448-IQE013N04LM6ATMA1DKR
SP005340902
2156-IQE013N04LM6ATMA1-448
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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