Hersteller Produktnummer:
IPW90R120C3XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW90R120C3XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Inventar:
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IPW90R120C3XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 2.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6800 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-21
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW90R120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP002548896
IPW90R120C3XKSA1-ND
448-IPW90R120C3XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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