Hersteller Produktnummer:
IPW65R660CFDFKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
12806124
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IPW65R660CFDFKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-1
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
240
Andere Namen
2156-IPW65R660CFDFKSA1-IT
INFINFIPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFD
SP000861700
IPW65R660CFD-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFPF50PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
466
TEILNUMMER
IRFPF50PBF-DG
Einheitspreis
3.01
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STW10N95K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
466
TEILNUMMER
STW10N95K5-DG
Einheitspreis
1.98
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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