Hersteller Produktnummer:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW65R115CFD7AXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
12945086
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPW65R115CFD7AXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
*
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 490µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW65R115
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
448-IPW65R115CFD7AXKSA1
2156-IPW65R115CFD7AXKSA1
SP003793162
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AONS36303
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
