Hersteller Produktnummer:
IPW65R075CFD7AXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW65R075CFD7AXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
240 Stück Neu Original Auf Lager
12977037
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPW65R075CFD7AXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
*
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 820µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3288 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
171W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW65R075
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
448-IPW65R075CFD7AXKSA1
2156-IPW65R075CFD7AXKSA1
SP005324280
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
HAT1091C0S-EL-E
HAT1091C0S - P-CHANNEL POWER MOS
NP80N06MLG-S18-AY
NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
HAT2205C-EL-E
HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE