Hersteller Produktnummer:
IPW60R250CP
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW60R250CP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
12804777
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Menge
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IPW60R250CP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 440µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-1
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
240
Andere Namen
2156-IPW60R250CP-IT
IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
INFINFIPW60R250CP
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW18N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
154
TEILNUMMER
STW18N65M5-DG
Einheitspreis
1.58
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTH20N65X
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
595
TEILNUMMER
IXTH20N65X-DG
Einheitspreis
5.92
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STW18N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
476
TEILNUMMER
STW18N60M2-DG
Einheitspreis
1.26
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STW18NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
547
TEILNUMMER
STW18NM60N-DG
Einheitspreis
3.00
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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