Hersteller Produktnummer:
IPW60R125P6XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW60R125P6XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
12804111
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IPW60R125P6XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 960µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2660 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
219W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IPW60R125
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
ROCINFIPW60R125P6XKSA1
SP001114656
2156-IPW60R125P6XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK28N65W,S1F
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
TK28N65W,S1F-DG
Einheitspreis
2.69
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STW30N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
573
TEILNUMMER
STW30N65M5-DG
Einheitspreis
3.03
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTH32N65X
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTH32N65X-DG
Einheitspreis
5.96
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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