Hersteller Produktnummer:
IPU80R4K5P7AKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU80R4K5P7AKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventar:
1487 Stück Neu Original Auf Lager
12805787
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IPU80R4K5P7AKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-21
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU80R4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
IFEINFIPU80R4K5P7AKMA1
2156-IPU80R4K5P7AKMA1
SP001422748
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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