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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPU60R2K0C6BKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU60R2K0C6BKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
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IPU60R2K0C6BKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
22.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPU60R2K0C6BKMA1
HTML-Datenblatt
IPU60R2K0C6BKMA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-IPU60R2K0C6BKMA1-IT
INFINFIPU60R2K0C6BKMA1
SP000931528
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD4NK60Z-1
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
35
TEILNUMMER
STD4NK60Z-1-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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