Hersteller Produktnummer:
IPU60R1K0CEAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPU60R1K0CEAKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.3A (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12806014
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IPU60R1K0CEAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU60R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SP001369532
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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