Hersteller Produktnummer:
IPT039N15N5ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPT039N15N5ATMA1-DG
Beschreibung:
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Inventar:
12974925
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IPT039N15N5ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 257µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7700 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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