Hersteller Produktnummer:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPSA70R1K4P7SAKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 22.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12803190
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 400 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
158 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
22.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPSA70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SP001664778
IFEINFIPSA70R1K4P7SAKMA1
IPSA70R1K4P7S
2156-IPSA70R1K4P7SAKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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