Hersteller Produktnummer:
IPS090N03LGAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPS090N03LGAKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventar:
12803098
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPS090N03LGAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-11
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
IPS090N03LGIN-DG
IPS090N03L G
IPS090N03LGXK
IPS090N03LGIN
2156-IPS090N03LGAKMA1-IT
INFINFIPS090N03LGAKMA1
SP000788216
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD60R750E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
IPP080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPU050N03L G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
