Hersteller Produktnummer:
IPP90N06S4L04AKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP90N06S4L04AKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12805709
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IPP90N06S4L04AKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-1
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP90N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001028752
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOT262L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOT262L-DG
Einheitspreis
1.29
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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