Hersteller Produktnummer:
IPP80R1K4P7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP80R1K4P7XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
507 Stück Neu Original Auf Lager
12803401
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IPP80R1K4P7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 70µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP80R1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001422718
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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