Hersteller Produktnummer:
IPP65R045C7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP65R045C7XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
199 Stück Neu Original Auf Lager
13064048
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IPP65R045C7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ C7
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.25mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4340 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP65R045
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP000929422
IPP65R045C7XKSA1-ND
448-IPP65R045C7XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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