Hersteller Produktnummer:
IPP147N12N3GXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP147N12N3GXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
17762 Stück Neu Original Auf Lager
12822377
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IPP147N12N3GXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 61µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3220 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP147
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-IPP147N12N3GXKSA1
IPP147N12N3 G
INFINFIPP147N12N3GXKSA1
IPP147N12N3 G-DG
IPP147N12N3G
SP000652742
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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