Hersteller Produktnummer:
IPP084N06L3GHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP084N06L3GHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12804474
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IPP084N06L3GHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 34µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4900 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP084N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000398080
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLZ44PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1827
TEILNUMMER
IRLZ44PBF-DG
Einheitspreis
1.10
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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