Hersteller Produktnummer:
IPP076N15N5AKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP076N15N5AKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
1901 Stück Neu Original Auf Lager
12858988
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPP076N15N5AKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 56A, 10
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 160µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
214W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP076
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
448-IPP076N15N5AKSA1
SP001180658
IPP076N15N5AKSA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTD6600N
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NVMFS5C423NLT1G
MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN
NTDV3055L104-1G
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK