IPP026N04NF2SAKMA1
Hersteller Produktnummer:

IPP026N04NF2SAKMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPP026N04NF2SAKMA1-DG

Beschreibung:

TRENCH PG-TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 29A (Ta), 121A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05

Inventar:

994 Stück Neu Original Auf Lager
13001690
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPP026N04NF2SAKMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
StrongIRFET™2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Ta), 121A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 81µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-U05
Paket / Koffer
TO-220-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
448-IPP026N04NF2SAKMA1
SP005632915

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
microchip-technology

MSC035SMA070J

MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227

vishay-siliconix

SIJH5800E-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

micro-commercial-components

MCU12P06Y-TP

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

goford-semiconductor

G400P06T

MOSFET P-CH 60V 32A TO-220