Hersteller Produktnummer:
IPN80R1K2P7ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPN80R1K2P7ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventar:
5987 Stück Neu Original Auf Lager
12818458
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IPN80R1K2P7ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300 pF @ 500 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
IPN80R1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-IPN80R1K2P7ATMA1-448
IPN80R1K2P7ATMA1DKR
SP001664998
IPN80R1K2P7ATMA1-DG
IPN80R1K2P7ATMA1TR
IPN80R1K2P7ATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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