Hersteller Produktnummer:
IPL65R650C6SATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL65R650C6SATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventar:
12803035
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IPL65R650C6SATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ C6
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
56.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSON-8-2
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IPL65R650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP001163082
2156-IPL65R650C6SATMA1
INFINFIPL65R650C6SATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
GC11N65D5
HERSTELLER
Goford Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
GC11N65D5-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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