Hersteller Produktnummer:
IPL65R099C7AUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL65R099C7AUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
9332 Stück Neu Original Auf Lager
12818138
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IPL65R099C7AUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ C7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 590µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-VSON-4
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
IPL65R099
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
448-IPL65R099C7AUMA1DKR
448-IPL65R099C7AUMA1CT
IFEINFIPL65R099C7AUMA1
SP001032722
2156-IPL65R099C7AUMA1
IPL65R099C7AUMA1-DG
448-IPL65R099C7AUMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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