Hersteller Produktnummer:
IPI80P03P4L04AKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI80P03P4L04AKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12802592
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IPI80P03P4L04AKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 253µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
137W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI80P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI80P03P4L-04-DG
IPI80P03P4L-04
SP000396318
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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