Hersteller Produktnummer:
IPI65R660CFDXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI65R660CFDXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12803660
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IPI65R660CFDXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI65R660CFD
2156-IPI65R660CFDXKSA1-IT
SP000861696
IFEINFIPI65R660CFDXKSA1
IPI65R660CFD-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFSL9N60APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
900
TEILNUMMER
IRFSL9N60APBF-DG
Einheitspreis
1.21
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPI60R125CPXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
490
TEILNUMMER
IPI60R125CPXKSA1-DG
Einheitspreis
3.00
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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