Hersteller Produktnummer:
IPI65R600C6XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI65R600C6XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12804395
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPI65R600C6XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI65R600C6-DG
SP000850504
IPI65R600C6
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP15N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
988
TEILNUMMER
STP15N65M5-DG
Einheitspreis
1.09
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR2407TRL
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRFZ34E
MOSFET N-CH 60V 28A TO220AB
IRF7353D1
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO